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【第一參賽人/留學(xué)人員】張恒芳

【留學(xué)國家】瑞典

【技術(shù)領(lǐng)域】技術(shù)服務(wù)與數(shù)字創(chuàng)意

【參賽屆次】第9屆

【所獲獎(jiǎng)項(xiàng)】入圍

【項(xiàng)目簡介】
高性能氮化鎵(HiperGaN)項(xiàng)目,使用熱壁金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD),基于 GaN 的金屬極性 HEMT(High Electron Mobility Transistor 或者高電子遷移率晶體管)和氮極性的 HEMT晶體生長技術(shù)的開發(fā),提供高性能、高速度、低功耗的電子元器件應(yīng)用材料。項(xiàng)目可以實(shí)現(xiàn)具有高性能材料特征的傳統(tǒng)非漸變通道金屬極性GaN HEMT的結(jié)構(gòu),其具有超高速的二維電子氣(2DEG )遷移率,可以達(dá)到2368 cm2/V.s (截至目前,文獻(xiàn)中最高的2DEG報(bào)告值), 并且具有超低的非接觸式電阻率 290 ?/sq,銳利的電子通道和屏障界面,和很低的表面粗糙度。此項(xiàng)目還可以通過調(diào)整AlGaN 勢(shì)壘的成分和厚度實(shí)現(xiàn)載流子的不同高低濃度,進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)三種不同的漸變通道(指數(shù)、混合 tanh-線性和直線)的金屬極性HEMT,使得器件的線性度得到改善和提高,這是應(yīng)用在低噪聲射頻放大器的關(guān)鍵技術(shù)。在氮極性HEMT上,利用了多步驟升溫法實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量的GaN晶體外延生長且具有低至1nm的表面粗糙度。其主要 2DEG 通道的平均薄層電阻是 294 ?/sq,其電子密度約為 2.2x1013 cm?2,電子遷移率2DEG約為 1170 cm2/V.s。GaN材料在高頻、高功率應(yīng)用方面具有很高的優(yōu)勢(shì),與傳統(tǒng)的硅材料相比,GaN 材料具有更高的電子遷移率、更小的阻抗、更高的工作溫度和更高的抗輻射性能。因此,其在無線通信、功率放大、汽車電子、航空航天等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。 【展開】 【收起】
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